任立宗 袁帅

摘要：现有硅功率器件已经达到了理论极限，而第三代半导体材料中氮化镓材料的基础参数更加优异，也将具有更大的发展空间。本文从GaN功率器件的基础参数分析其特点和优势，列举其在消费类电源和电动汽车领域的应用，最后阐述现有国家政策和国内产业链发展情况。

关键词：氮化镓（GaN）;消费类电源;电动汽车;新基建。

随着硅功率MOSFET技术的不断发展，其参数达到了硅基器件的理论极限。而作为第三代半导体材料中的SiC和GaN为原材料的功率器件则是优良的升级品。本文主要对GaN功率器件的特点、应用和发展进行论述。

由表1得出GaN材料的特性包括禁带宽度大、临界击穿电场高、电子迁移率较高、饱和漂移速度高及导热率大。高的禁带宽度意味着具有较低的本征泄露电流和较高的工作温度。在相同击穿电压下，GaN材料的高临界击穿电场可以使漂移区厚度可以比硅器件小1/10左右，体积更小，寄生参数更小。理论导通电阻与偏移区厚度成正比，与电子迁移率成反比。所以，较小的偏移区厚度和较高的电子迁移率可以使导通电阻进一步降低。高饱和漂移速度，说明更适合高频工作。导热率越大，说明其传递热量的能力越强，则更适宜于高温环境[1]。

综合以上分析可知，第三代宽禁带GaN材料具有开关速度快，导通电阻低，尺寸小，耐高温等特点，所以GaN功率器件适合高频、高温、高效率的应用环境，能够有效减小系统尺寸，提高功率密度，并最终降低系统成本。……