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Flash存储器W25Q16JVSNIQ替换M25P16的可行性研究

2020-07-30江旅锐

科技视界 2020年19期
关键词:存储器电控指令

江旅锐

摘 要

在工程机械电控系统开发过程中,由于原用Flash存储器M25P16停产,对电控系统存储功能的开发带来了消极的影响。本文通过实验,对Flash存储器W25Q16JVSNIQ与M25P16的存储功能性能进行对比测试,研究Flash存储器W25Q16JVSNIQ是否可以替代M25P16进行使用。

关键词

Flash存储器;W25Q16JVSNIQ;M25P16;可行性

中图分类号: TG44            文献标识码: A

DOI:10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2020.19.063

0 引言

Flash存储器W25Q16JVSNIQ为空间有限的系统提供了存储解决方案,25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通的串行闪存设备。随着Flash存储器M25P16的停产,W25Q16JVSNIQ的使用价值得到越来越多的重视,且二者的封装完全相同,因此,在替换方案的便利性上具备一定的优势。但行业内对使用Flash存储器W25Q16JVSNIQ替换M25P16的可行性缺乏研究,本课题的研究,为使用Flash存储器W25Q16JVSNIQ替换M25P16的可行性提供必要的数据支撑,具有重要的理论意义和工程应用价值。

1 实验方法

通过焊接手段将Flash存储器安装在电控系统主控制器电路板上,主要针对Flash存储器W25Q16JVSNIQ和M25P16的擦除数据(包括全片擦除和Sector擦除)、写数据和读数据等基本功能性能进行对比测试,各项操作指令均由控制器发出。

系统电路连接示意图如图1,实验环境温度为23.6℃,湿度为90.1%,测试流程如图2。

本文针对Flash存储器W25Q16JVSNIQ和M25P16的基本存储功能性能进行试验,为减少误差,提高试验的准确性,先对M25P16进行测试,每次试验进行3次,然后取3次试验结果的平均值,完成测试后,将M25P16替换为W25Q16JVSNIQ,按照相同的测试过程、测试要求进行测试。

2 结果与讨论

经验证,Flash存储器W25Q16JVSNIQ和M25P16的读数据、写数据和擦除数据功能正常,完成各功能操作的时间记录如表1。

从表1可以得出,Flash存储器W25Q16JVSNIQ在完成读数据和擦除数据功能的平均使用时间与M25P16基本保持一致,误差保持在±0.5s内,對全片数据或32个Sector数据进行写操作时,速度较慢,平均使用时间接近M25P16的2倍。

3 结论

在存储功能方面,外扩Flash存储器W25Q16JVSNIQ与M25P16的读数据、写数据和擦除数据功能指令相同,可以相互兼容;在工作速率方面,对执行读数据和擦除数据的指令时,速率相当,对执行写入全片数据(或32个Sector数据)指令时,Flash存储器W25Q16JVSNIQ的速率相对较低,但属于可视差距。

因此,若对写入全片数据(或32个Sector数据)的速率无严苛要求的前提下,外扩Flash存储器W25Q16JVSNIQ可代替M25P16进行使用。

参考文献

[1]刘岐,沈鸣杰,董艺.电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究[J].航天器环境工程,2019,36(03):264-270.

[2]李远哲,贺海文,万丽,李妍,赵峰.嵌入式系统大容量NAND Flash存储器分区管理设计[J].计算机测量与控制,2019,27(02):212-215+220.

[3]郭慧莹.Flash存储器并行耐久测试方案研究[J].科技创新导报,2019,16(11):148-149.

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