张司琪， 孔令军， 张顺外， 张 南

1.南京邮电大学通信与信息工程学院，南京210003

2.中国航天系统科学与工程研究院工程科技发展战略研究所，北京100048

近年来，固态硬盘以其读写速度快、轻便等优点在NAND Flash 中应用广泛，同时也为大数据开辟了新的发展之路[1].多级单元（multi-level-cell, MLC）型NAND Flash 技术的出现一方面增大了存储密度，单位比特的成本降低；另一方面闪存封装尺寸的减小也缩短了存储单元间的距离，单元间干扰（cell-to-cell interference，CCI）的影响会降低闪存存储系统的可靠性.而传统的纠错码——BCH 码无法满足MLC 型闪存的差错控制需求，因此利用新型纠错码改善高密度存储系统中数据的耐久度与可靠性成为现阶段闪存研究的重点之一[2].

Polar 码由Arikan 于2009 年提出，是目前唯一一种能被严格证明在编译码复杂度较低的情况下达到香农极限的线性分组码[3]，因其具有容量限可达、构造方式明确等优点而成为最优信道编码方案的候选之一，为MLC 型NAND 闪存的差错控制技术开辟了一个新的方向.然而，关于MLC 型NAND 闪存信道的polar 码构造优化的研究不多[4-5].文献[4]提出了一种称为自校验的高效多策略ECC 方案，其中硬解码器设计用于校正MLC 闪存初始阶段的大多数错误码字，而软解码器旨在纠正包含大量错误的码字.文献[5]将polar 码应用于MLC型NAND 闪存信道的多策略预编码方案，并比较polar 码的二进制输入硬判决译码、量化软判决译码和软判决译码三种译码算法的性能，然后提出了一种利用逐步最大互信息量来获取量化边界……