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以氢化钛为钛源制备高纯Ti2AlN粉体及刻蚀行为*

2020-06-07郭奕彤王军凯胡前库王李波周爱国

功能材料 2020年5期
关键词:质量

郭奕彤,王军凯,胡前库,王李波,周爱国

(河南理工大学 材料科学与工程学院, 河南 焦作 454003)

0 引 言

Ti2AlN是一种三元层状化合物MAX相的一员。MAX相的通式为Mn+1AXn(n=1-3),其中M是早期过渡元素,A属于IIIA或IVA的基团,X代表氮和/或碳。这些材料既具有类似金属的特性,包括导电性,导热性,易加工性和高温下的塑性,同时表现出陶瓷所具有的特性,例如抗氧化性,高熔点和抗热冲击性等,这种具有金属和陶瓷特性的独特组合引起了广泛关注[1-5]。但是由于此类化合物合成温度区间狭窄,对温度和配比要求严格,常伴有大量杂质相生成,所以寻找制备高纯的Ti2AlN是这一领域重要的研究内容之一[6]。

目前,Ti2AlN制备的文献主要报道了Ti2AlN块体的制备和Ti2AlN薄膜的制备。严明等人[7]以Ti、TiN和AlN为原料,利用火花放电等离子烧结(SPS)在1 200 ℃保温10 min,制得Ti2AlN块体材料。严明等[8-9]以Ti、TiN和AlN为原料,采用热压烧结法在1 300 ℃保温2 h,成功制备出了Ti2AlN块体材料,纯度达到理论值的97.9%,压力为30 MPa。Lin等[10]以Ti、TiN和AlN为原料,采用热压烧结法在1 400 ℃下保温1 h,同样制备出了Ti2AlN块体材料,压力为25 MPa。Barsoum等[2]以Ti、AlN为原料,采用热等静压(HIP)分别在1 600 ℃下保温4 h或1 400 ℃下保温48 h成功合成了Ti2AlN块体材料。Hultman等[11]通过PVD法首次合成Ti2AlN薄膜材料。Wang等[12]利用阴极电弧/溅射法的先进技术在真空条件下于800 ℃退火1.5 h后制得致密且高稳定性的Ti2AlN MAX相涂层。Li等[13]通过直流磁控溅射和700 ℃退火1 h后,在多晶Al2O3上制备了单相Ti2AlN涂层。

虽然Ti2AlN块体和薄膜的制备已经得到比较系统的研究,但是关于Ti2AlN粉体合成的研究非常少。近期,刻蚀MAX相粉体制备MXene的研究成为研究热点[14-19]。通过选择性刻蚀MAX相粉体中的A层,可以得到具有类似石墨烯结构的二维材料MXene。……

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