王家先， 陶 金， 吕金光， 李 阳， 赵永周，李盼园， 秦余欣， 张 宇， 郝振东， 王维彪*， 梁静秋*

(1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室， 吉林 长春 130033;2. 中国科学院大学， 北京 100049; 3. 吉林大学 电子科学与工程学院， 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130012)

1 引 言

Micro-LED显示技术是近年来继OLED显示技术后最受关注的平板显示技术[1-2]。Micro-LED是固体主动发光器件，具有工作电压低、发光效率高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等优点[3-5]，在大屏显示、中小型及微型显示器件中具有重要应用，如手表、手机、微型投影机、无掩膜光刻、AR、VR等[5-7]。

在Micro-LED器件发展前期，国际上的研究工作多集中于红光[3,8-9]、蓝绿光[10-12]以及紫外光[13]等单色Micro-LED器件的结构、制作工艺、器件特性等方面[8-13]。随着对Micro-LED显示器件应用需求的日益迫切，全彩色Micro-LED器件制备技术逐渐成为了研究热点。目前，国际上全彩色Micro-LED显示器件的制备主要采用三基色Micro-LED芯片转移拼装技术，包括流体自组装[14]、PDMS转印[15]以及机械转印[16]等。但由于全彩色Micro-LED显示器件由巨量的Micro-LED芯粒组成，而Micro-LED芯粒尺寸通常小于100 μm，迄今为止，芯片转移拼装方案在LED芯粒的拾取、转移精度控制、转移效率及缺陷修复等方面的技术瓶颈仍有待攻克。

除了三基色Micro-LED芯片转移拼装技术方案外，研究人员也在探索通过量子点材料(Quantum dots，QDs)进行色彩转换实现Micro-LED阵列器件的红蓝绿全色显示。量子点材料是无机半导体纳米材料，常通过化学溶液法合成，具有发射光谱可调、宽激发光谱、窄半峰宽等优点[17-19]，将其应用于显示器件领域，可以提升器件全彩显示品质。……