刘士奇，周 云，周文硕

(1.中国电子科技集团公司第五十四研究所，河北 石家庄 050081;2.陆军北京军代局驻石家庄地区军代室，河北 石家庄 050081)

0 引言

随着信息技术的不断发展，诸多电子系统亟需宽带、大功率和高效率的射频功率放大器，以满足电子测试仪器、电子对抗和干扰等领域需求[1-3]。GaN HEMT器件因其固有优势，逐步挤占真空管市场，成为新一代宽带、大功率器件的新宠[4-5]，分布式放大器拓扑架构则充分考虑了有源器件特性，利用微带线补偿寄生电容，实现超宽带，是目前多倍频程放大器的主流结构[6-7]。因此，基于GaN HEMT器件的分布式放大器成为当前超宽带、高功率放大器的主流，其研究结果不断刷新业界记录[8]。

本文基于自主的0.25 μm GaN HEMT工艺，利用分布式放大器结构，开发了一款超宽带、高功率和高效率的微波单片功率放大器，性能指标达到国际主流水平，包括GaN HEMT 有源器件特性分析、分布式放大器设计和制作，放大器性能测试和分析等。该功率放大器可广泛地应用于通用电子仪器测量和测试、电子对抗和干扰等众多领域。

1 GaN HEMT器件特性和分析

有源器件是功率放大器的核心和基础，可从直流参数、频率响应参数和功率以及效率参数3个方面评估其性能优劣[9-10]。

直流参数如跨导、最大漏极电流和器件击穿电压以及阈值电压等，表1为 0.25 μm GaN HEMT器件直流参数。其中Gm为器件跨导，Ids为饱和漏极电流，Imax为最大饱和电流，BVgd为击穿电压，Vth为阈值电压，可提供较大的工作电流和足够的工作电压，确保正常、可靠工作。……