王庆禄，王莉，李雍，杨会静，曹茂盛

（1.唐山师范学院，河北 唐山 063000；2.内蒙古科技大学，内蒙古 包头 014010；3.北京理工大学，北京 100081）

近年来，电子设备和通信设备造成的电磁污染引起了人们对微波吸收材料的研究兴趣[1-2]。但目前吸波材料存在密度大、匹配厚度大、吸收频带窄等缺点，因此研究高效、轻量、热稳定性好、吸收频率范围宽、吸收能力强的微波吸收体就变得非常必要和迫切[3-4]。可以用作微波吸收体的材料有很多，碳化硅（SiC）是其中之一，它具有优异的强度、低密度、化学惰性和良好的微波介电损耗，是一种非常理想的电磁波吸收材料[5-6]。与其他碳材料相比，SiC不仅可以在高温、腐蚀性条件下使用，还可以在较宽的频带上实现轻量化、薄化和强吸收。但纯SiC的电磁参数无法满足阻抗匹配的要求，导致反射强、吸收弱，若要得到吸波性能良好的材料，需要对其进行掺杂或复合处理[7-10]。研究表明，采用非磁性材料和磁性材料复合的方法，通过调节材料的电磁参数和阻抗匹配，能有效提高材料的吸波性能[10-13]，而化学镀具有工艺设备简单、镀层均匀的特点，是一种简便易行的复合方法[11,14]。本文介绍了利用改进的化学镀方法，在碳化硅表面沉积钴-铁合金，使其电磁性能和微波吸收性能得到提高。

1 试验

1.1 试验材料

试验所用试剂有：微米碳化硅（SiC，3～8 μm）、硫酸钴（CoSO4·7H2O）、硫酸亚铁（FeSO4·7H2O）、氯化铵（NH4Cl）、次亚磷酸钠（NaH2PO2·2H2O）、柠檬酸钠（Na3C6H5O7·2H2O）、氯化亚锡（SnCl2）、氯化钯（PdCl2）、氢氟酸（HF）、氨水（NH3·H2O）、盐酸（HCl，36.5%）。所有试剂纯度均为分析纯，使用前未进行其他处理。……