诸玲珍

编者按：日前，第二届全球IC企业家大会在上海举办。作为六个分论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同期举办，分论坛由赛迪智库集成电路研究所、中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟承办，主题为《迎接化合物半导体的产业化浪潮》，与会专家就化合物半导体材料、芯片、设备等发展现状及未来趋势进行了研讨。

浙江大学电气工程学院院长盛况：新能源为宽禁带半导体带来机遇

功率半导体技术的发展与全球能源的消耗紧密相关。在过去的几十年以及未来30年，我们面临的趋势是化石能源使用的逐渐减少，可再生能源应用的进一步增加。

可再生能源开发及节能减排都需要用到电力电子技术。不管是光伏、风电、新能源汽车，都需要对电能进行控制，而电能控制最核心的元件就是芯片，即供能芯片。供能芯片不需要精细线宽，它需要和应用紧密结合，在这方面，中国企业有优势，因为市场需求在我们自己手里，而且离我们最近。

功率半导体芯片目前发展到第3代，即以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，它们具有导热率高、击穿电场高、介电常数低、禁带宽度高、饱和漂移速度高等一系列优势。以新能源汽车电机驱动器为例，采用宽禁带半导体芯片可以提高效率、节省冷却系统体积、提高功率密度，使电池效率提高10%，这是一个很大的比例.

碳化硅电力电子器件主要包括二极管及MOSFET。在碳化硅二极管器件产品方……