王尘 许怡红 李成 林海军 赵铭杰

1) (厦门理工学院光电与通信工程学院,福建省光电信息材料与器件重点实验室,厦门 361024)

2) (厦门工学院电子信息工程系,厦门 361024)

3) (厦门大学物理学系,半导体光子学研究中心,厦门 361005)

1 引 言

随着COMS工艺尺寸的不断减小,Ge材料由于具有比硅更高的电子和空穴迁移率、在光纤通信波段具有更大的吸收系数以及更低的工艺处理温度,成为极具应用前景的材料之一,受到人们的广泛关注[1,2].目前,高性能Ge p-MOSFET的研究已经取得了不错的进展,然而Ge n-MOSFET性能的提升仍存在许多问题[3-5],如随着器件的源/漏接触面积不断缩小,源/漏的接触电阻增大,器件性能下降[6-8].此外,金属与锗低比接触电阻率的欧姆接触较难实现,这主要是由两方面决定的: 一方面,金属与锗的接触存在强烈的费米钉扎效应,导致大的电子势垒高度[9]; 另一方面,由于n型杂质在Ge中具有较大的扩散系数(与掺杂浓度正相关)以及较低的杂质固溶度,使得在Ge中实现高掺杂浓度、界面陡峭以及低扩散深度的n型掺杂十分困难.结合离子注入和后退火工艺是实现Ge中n型掺杂的常用手段,然而要在Ge中获得高激活浓度n型掺杂的同时,杂质的扩散深度也要尽可能小,此时就需要一种退火时间短(减小杂质扩散)以及退火温度高(激活杂质离子)的退火技术.相比于其他退火技术,如常规热退火[10]、快速热退火[11]、快闪灯照退火[12]、微波退火[13]等,脉冲激光退火技术拥有独特的优势[14]: 首先,退火时间……