刘鑫 代广珍 姜永召 刘宇航 韩名君

摘 要：研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量，获得计算模型.计算结果表明，随着In组分的增加，价带结构发生改变，从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In組分为0.5时，能量损失峰值最小，有利于提升紫外光的出光效率.

关键词：GaN基材料;第一性原理;光学特性