田茂坤，黄中浩，谌 伟，王 恺，王思江，王 瑞，董晓楠，赵永亮，闵泰烨，袁剑峰，孙耒来

(重庆京东方光电科技有限公司，重庆400700)

1 引 言

当前主流显示技术主要为TFT-LCD，AMPLED，QLED显示技术，以及Micro-LED等多种新兴技术。这些新兴技术以超快响应、高亮度、高效率等优势吸引着人们的目光，但是这些新兴技术均存在各种技术难题等待解决。由此可见当前TFT-LCD在显示技术行业中，因工艺成熟，材料体系完整，产品性能稳定等特点占有绝对优势地位。TFT作为阵列的开关器件，其良好的性能对LCD的显示质量存在重要的作用，其中TFT特性作为衡量TFT器件的重要参数。Ibaraki，宋跃等人认为a-SiNx∶H/a-Si∶H异质结a-Si∶H TFT的特征参数的界面效应与有缘层的厚度相关[1-2]，因此通过研究TFT沟道位置a-Si 剩余厚度与TFT特性的关系来改善LCD的性能[3]。本文将通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下对不同a-Si 剩余厚度的TFT器件电学性能的测试，得到开启电压Vth、工作电流Ion、漏电流Ioff、迁移率μ与a-Si 剩余厚度之间的关系，这样可为工艺条件的改进提供依据。

2 实 验

本实验利用重庆BOE G8.5代线生产平台，使用2 200 mm×2 500 mm Corning 玻璃作为实验基板，玻璃厚度为0.5 mm；按照6 Mask工艺流程沉积各膜层结构，使用ECCP模式离子刻蚀机，腔室设定固定的压力、功率(Source/Bias)、SF6&Cl2气体流量刻蚀沟道a-Si，在其他条件不变的情况下，通过改变刻蚀时间控制a-Si剩余厚度。

测试用玻璃ID：TEST1：(刻蚀时间52 s)；TEST2：(刻蚀时间48 s)；TEST3：(刻蚀时间44 s)；TEST4：(刻蚀时间40 s)；TEST5：(刻蚀时间37 s)；TEST6：(刻蚀时间34 s)；TEST7：(刻蚀时间31 s)；TEST8：(刻蚀时间28 s)；TEST9：(刻蚀时间24 s)；TEST10：(刻蚀时间20 s)；TEST11：(刻蚀时间16 s)；TEST12：(刻蚀时间12 s)。

为了减少成膜和刻……