Nano Letters发表了大连理工大学黄辉教授团队的一项研究成果——无漏电流“纳米线桥接生长技术”。这项技术解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题，制备出高可靠性、低功耗及高灵敏度的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等。

黄辉团队首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应，发明了一种结合气流遮挡效应与表面钝化效应的桥接生长方法，解决了寄生沉积问题，并首次实现了“无漏电流”的GaN桥接纳米线，在此基础上研制出高稳定性、低功耗以及高灵敏度的集成GaN纳米线气体传感器，8个月电阻变化率＜0.8%，NO2检测限达到0.5ppb。

GaN材料是第三代半导体，具有优异的稳定性（耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀）和生物兼容性，适用于严酷环境下的应力应变以及液体和气体样品的检测（实验证明氢氟酸腐蚀48小时未对GaN纳米线产生影响），应用领域非常广泛。