尤 春，刘维维

（无锡中微掩模电子有限公司，江苏无锡 214135）

1 引言

随着半导体工业按摩尔定律[1]的高速发展，半导体集成度不断提高，半导体器件特征尺寸越来越小，要保证更小的特征尺寸和最小条宽(CD)必须由更高精度的曝光设备来支持，特征尺寸每提升一个节点，要求光学光刻机的分辨率提高一个档次。根据瑞利衍射原理[2]，光刻分辨率R=k1λ/NA，其中NA为光学透镜的数值孔径，λ为曝光光源波长，k1为工艺系数。因而提高光刻分辨率可通过如下方式实现，或降低工艺参数k1，或缩短曝光光源波长λ，或增大光学透镜数值孔径NA，或改善光学波前工程。在以上曝光工艺路线中，不管采用传统的光学光刻还是新一代光刻技术，都需要用到掩模。

电子束曝光最大的优势在于其高分辨率，现在最先进的电子束光刻系统可以达到1nm以下，在0.18μm以上技术节点的掩模制作中都需要用到电子束直写技术。影响电子束曝光分辨率的一个重要因素是邻近效应[3-6]，邻近效应是由于高能入射电子在抗蚀剂中的散射以及在衬底上的背散射从而导致周围非目标区域曝光的一种效应。邻近效应会使曝光图形模糊，尤其是在制作细小图形时，邻近效应对曝光图形的影响更为突出。为了得到高分辨率的图形，必须对邻近效应予以修正[7]。Eisenmann H等使用抗蚀剂曝光剂量自动协调的邻近效应修正技术，通过对图形不同部位使用不同剂量的曝光能量，对内邻近效应、相互邻近效应进行校正，最终使得不同图形曝光效果一致[8]。……