厉志强 孙厚军 吴洪江

摘要：本文介绍了一款X波段硅基异构多层封装电路，采用MEMS半导体工艺实现，集成了低噪声放大器、限幅器、均衡器和电源调制等多种芯片。在8～12GHz頻带内，接收噪声≤1.5dB，接收增益典型值为21dB，耐功率达到10W，体积为8.3mm×4.3mm×1.3mm。该电路采用新颖的三维封装形式，具有覆盖频带宽、封装体积小、易使用等优点，可用于接收机前端，简化用户装配，降低调试难度。

关键词：硅基；多芯片；小型化；3D

中图分类号：TN722.3

文献标识码：A

文章编号：2095-6487 （2018） 01-0047-04

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随着现代军事技术的发展，对于微波射频电路的小型化需求愈来愈强烈，传统封装类产品的较大体积己不能满足目前设备进一步小型化的迫切需求[1-2]。传统全芯片集成的微组装组件，工艺复杂度高，可生产性不强，产品一致性也很难掌控；射频硅基多芯片封装电路将多芯片载体电路和控制电路垂直堆叠在一起，具有体积小、单元化、易集成、易生产等优势，非常适合应用于射频通信设备中[3-4]。本文采用内部集成射频芯片及电源控制电路芯片的方案，并通过硅基通孔实现层间互联，使对外接口数量显著减少，减少用户装配难度；封闭腔体结构具有很好的电磁屏蔽效果，与其余电路单元之间的影响大大降低，降低用户调试难度，该多芯片封装电路可以进行100%探针测试。

低噪声放大器是通信系统接收机部分不可缺少的元器件，是决定接收系统灵敏度的关键器件，由于其承受功率有限，容易受到外界干扰，因此前端需要加可以承受大功率冲击的限幅器[3]。……