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(1.有研亿金新材料有限公司，北京 102200; 2.北京市高纯金属溅射靶材工程技术研究中心, 北京 102200; 3.北京翠铂林有色金属技术开发中心有限公司，北京 100088)

0 前言

中国已成为世界Ti工业大国，Ti产能位居世界首位，但面临着整体技术含量低、产品附加值低、产能严重过剩等问题，加大Ti材深加工及开发高附加值产品是行业摆脱困境的关键。高纯Ti作为电子信息领域重要的功能薄膜材料，近年来随着中国集成电路、平面显示器、太阳能等产业的快速发展需求量快速上升[1-2]。磁控溅射(magnetron sputtering)是集成电路制造工艺中的关键技术之一，无论是在前道晶圆制造还是在后道先进封装领域都发挥重要作用[3]。在集成密度方面，由于芯片线宽的减小和封装集成密度的提高，高深宽比(aspect ratio>5)布线结构成为后续主要发展趋势，这对磁控溅射技术提出了挑战，需要采用大功率溅射来提升高深宽比结构中薄膜的均匀性，同时使用功率不断提高可显著可显著提高生产效率，降低制造成本[4-5]。对于300 mm晶圆用大尺寸Ti靶材，为了实现40 kW甚至更高溅射功率下的稳定溅射，要求Ti靶材组件具有优异的热稳定性、导热性能和力学性能，选取高导热性、高强度、低成本的靶材背板材料及高结合强度的焊接方法至关重要[6]。

以铝合金材料如6061铝合金等为背板的Ti靶材只能适用于较低功率密度的磁控溅射，同时传统的焊缝连接技术更是远远满足不了高功率、高可靠溅射的要求[7-10]。因此，文中选择高强度、高导电性的Cu62Zn38合金(以下简称CuZn)作为背板材料，开展背板与高纯Ti板(以下简称Ti板)的扩散焊接研究，为制备大尺寸高性能Ti靶材提供依据。