李志福，李 媛

（1.朝阳无线电元件有限责任公司，朝阳122000；2.渤海大学新能源学院，锦州121000）

1 引言

光电探测器是一种具有光生电流放大作用的器件，量子效率大于1。应用于弱光信号探测的常见光电探测器主要包括雪崩倍增光电二极管和光电晶体管。由于雪崩倍增光电二极管的放大作用是通过雪崩倍增效应实现的，通常需要在器件上施加几十伏的反向偏压[1-2]，由于几十伏的高电压在集成光电系统中难以实现，限制了雪崩光电二极管在集成光电系统中的应用。另外，雪崩光电二极管的暗电流较大，对于线性应用的偏压范围较窄，反向偏压的任何微小变化均能导致雪崩倍增光电二极管的输出特性偏离线性，使得光电信号在转换过程中出现失真。相比于雪崩倍增光电二极管，光电晶体管不需要高电压就可以实现光生电流的放大作用。硅光电晶体管也具有漏电小、性能稳定可靠、与半导体集成电路工艺兼容等优点，在光电耦合和红外探测领域得到了十分广泛的应用[3-4]。我国在光电耦合器和红外探测器系统中所使用的光电晶体管基本依赖进口[5]，因此，从事硅红外光电晶体管的研究对改善国产硅红外晶体管的技术现状具有较大意义。

截至目前，关于不同材料、结构的光电晶体管光电性能研究的文献报道较多，如：Victor Ryzhii等对应用于远红外及兆赫兹辐射领域的石墨烯纳米带光电场效应晶体管的解析模型进行了研究，利用该解析模型推导出源漏电流与光强、光频率及源漏偏压的关系式[6]。……