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应力对GaS光学性质的调控作用

2018-08-05蒙伟

环球市场信息导报 2018年17期
关键词:光吸收禁带能带

蒙伟

基于密度泛函理论的第一性原理方法,分析了应力对其电子结构和光学性质的影响。在能带计算的基础上,计算单层GaS的介电函数虚部及实部,并导出在改变应力后GaS的能量吸收谱、反射率和折射率,通过计算分析GaS的各项光学性质,GaS在施加压缩应力时带隙变宽,对可见光的吸收作用增强,施加拉伸应力时带隙变窄,对可见光的吸收作用减弱,压应力和拉伸应力对可见光的吸收、反射和折射造成显著影响。

光能利用是解决能源短缺和环境污染问题提供了一条重要途径。通过多年的发展硫族化合物作为光学材料有突破性的研究成果,硫化镓作为其中一种过渡金属硫化物,GaS具有特殊的结构和电子特性而受到研究者的关注,通过计算得到二维GaS为间接带隙半导体,禁带宽度为2.7333eV,本文主要通过改变应力的方式,在压缩8%和拉伸8%范围内详细讨论了应力对二维GaS的介电性质、吸收系数、反射率、折射率和消光系数的影响,在此基础上,进一步研究了应力对二维GaS光学性质的调控作用。

1 计算方法

本文基于第一性原理密度泛函理论方法,利用Vienna ab initio simulation package(VASP)进行计算。采用缀加投影、波方法(projector-augmented wave method,PAW)描述離子实和价电子之间的相互作用,为了得到更为精确的带隙值,采用Heyd-Scuseria-Emzerhof(HSE06)杂化泛函计算了能带结构。计算中平面波截断能设置为700eV,经测试能足够达到收敛。采用Monkorst-Park对布里渊区积分K点进行取样,几何优化K点网格为3×3×1,电子结构和光学性质计算采用更为精细的13×13×1的K点网格。结构优化过程中,原子进行完全弛豫,自洽能量的收敛标准为10_6eV,结构优化力的收敛标准为-0.001eV·nm-1。为了消除层之间的相互作用,Z轴方向设立了30nm的真空层。

2结构模型

优化后的二维GaS结构的晶格常数为2.412nm,键长dGa-s为2.42102nm,键角θGa-s-Ga为39.36°。二维GaS包含4个原子层,Ga原子层被两个S原子层夹在中间,S-Ga-Ga-S四个原子层堆叠形成层状结构。

3 能带结构

应力的改变可以使二维GaS中原子键能、晶格参数以及原子间杂化作用发生变化,从而改变二维GaS带隙值,图2为二维GaS改变应力的能带结构图。图(c)可以看出本征GaS禁带宽度为2.7333eV的间接带隙,应力的作用改变了二维GaS结构的共价键长度和电子间的杂化作用,使带隙发生改变,图中(a)带隙增加0.5252eV、图(b)带隙增加0.4811eV、图(d)带隙减小了0.8751eV、图(e)带隙减小了1.1501eV。可见,应力由压缩8%到拉伸8%时,禁带宽度改变显著,所以应力的改变必然会影响其光学性质。

4 光学性质

根据能带计算结果,可以进一步讨论二维GaS的光学性质。介电函数ε(ω)是一个虚数,其中虚数由实部ε1(ω)和虚部ε2(ω)组成:

5 应力作用下二维GaS的光学性质

体系的能量吸收谱L(ω)、折射率n(ω)和反射率R(ω)的色散关系都可以通过对介电函数实部ε1(ω)与虚部ε2(ω)的计算得到。我们计算本征GaS半导体的上述光学性质,这里主要考虑入射光垂直和平行于c轴方向的情况。图1给出了单层GaS的能量吸收谱,在可见光(1.64~3.19eV范围内)的吸收作用,计算分析得出与未施加压缩应力(c)相比,如图1(d)、(e)中对光吸收效率增强,施加应力拉伸时,如(a)、(b)中对光吸收效率减弱,( 与( 的图像在可见光范围内基本一致,相较于文献中材料的实验结果,我们计算得出的结果峰值更高些。应力对单层GaS的吸收谱曲线产生更大的波动,峰的高能量波动较大,施加应力可改变单层GaS的能量吸收效率。

二维GaS的其它光学性质(折射率、反射率等)在图2、3中给出。图2是本征二维GaS材料反射系:数R(ω)的曲线,反射曲线在6.197eV处有一个低谷,峰值位置出现在8.875eV处。由图可看出当施加压缩应力时低谷和峰值上移,施加拉伸应力时则刚好相反,在可见光波段内本征GaS的反射率曲线维持在0.2?0.4左右,说明二维GaS能够反射约20%?40%入射光,体现出金属光泽。而本征GaS薄膜的R//( 的可见光波段值约为0.02?0.06,光吸收加强则呈现出暗淡无金属光泽。

图6给出二维GaS材料的折射率曲线,二维GaS材料折射率曲线形态上较为相近,然而数值上却差距较大。二维GaS的n//( 曲线在可见光范围内维持在1.3左右,和水的折射率1.33相近,当施加压缩应力时(a)、(b)中单层GaS的增大并维持在2.0左右,变得更加透明,当施加拉伸应力时(c)、(d)中GaS的n//( 减小并维持在0.08左右,说明独立单层GaS薄片应是透明的。

基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了在不同应力作用下的二维GaS能带结构和光学性质,并将二维GaS的介电函数、能量吸收谱、吸收系数及反射率等光学性质进行对比,结果表明本征GaS为间接带隙,禁带宽度为2.733eV,当应力处于压缩并逐渐增大时,GaS的带隙变宽,并且对可见光的吸收作用增强。当应力处于拉伸并增大时带隙变窄,对可见光的吸收作用减弱,压应力和拉伸应力对光吸收出现反常,对GaS的各项光学性质计算推断单层GaS是透明的,:改变应力后透明度也会随之发生改变,当入射光频率的增加对可见光的吸收减弱。

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