张云丽,朱自强,李晓川,刘奎立,巫洪章,周小东

(1. 周口师范学院 物理与电信工程学院, 河南 周口 466001; 2. 周口师范学院 稀土功能材料及应用实验室, 河南 周口 466001; 3. 周口师范学院 机械与电气工程学院, 河南 周口 466001)

0 引 言

稀磁半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，兼具半导体和磁性性质，能同时利用电子的电荷和自旋属性[1]，具有巨磁阻效应、显著的磁光效应、反常霍尔效应等优越性能，被认为是21世纪的重要材料，是近年来国内外研究的热点[2-3].与传统半导体器件相比，稀磁半导体自旋电子器件具有体积小、速度快、能耗低等诸多优点[4]，在半导体集成电路、高密度非易失性存储器、半导体激光器、磁感应器和光隔离等领域具有广阔的应用前景，因此稀磁半导体已成为信息技术、材料学等领域值得深入探究的课题.

Zn-As基稀磁半导体不仅结构类型多、材料丰富[5-14]，而且与其对应的同构Fe-As基超导体有可匹配的晶格参数，为设计基于磁性、半导体和超导体的异质结构[6]，探索新的物理效应和应用特性提供了重要可能.新合成的稀磁半导体 Li1.1(Zn1-xCrx)As (x= 0.1) 最大居里温度较高，为218 K，因此，理论研究Li1.1(Zn1-xCrx)As有重要意义.虽然理论上WANG等[15]和TAO等[16]都研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构和磁性特征，但一定的Li过量、Cr掺杂浓度下，当Cr原子之间的初始距离一定时，并未对过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性的影响以及磁性原子的轨道磁矩进行研究. 本文的主要……