摘 要：光学邻近修正技术是纳米级晶圆制造的核心，随着晶圆制造工艺上的逻辑器件技术节点的不断缩小，导致光学邻近修正越来越困难。本文对近年来晶圆制造的光学邻近效应技术的发展进行综述，并对逻辑器件技术节点到20nm以下情况下的先进光刻工艺进行深入思考，提出应强化光学邻近修正模型研发在先进光刻工艺研发中的核心地位，加强光学邻近修正技术的研发。

关键词：光学邻近效应修正（OPC）；先进光刻；OPC经验学习

DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.10.187

随着晶圆制造工艺技术的不断发展，逻辑器件节点上的特征尺寸接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长。根据光波衍射和干涉原理：光波通过掩模版时将发生衍射，掩模版不同位置的地方还会发生干涉。因此，实际投射到硅片上的光强分布是这些衍射干涉光波叠加的结果，它与掩模图形并不完全相同。OPC一直是纳米级晶圆制造过程中的核心技术，随着逻辑器件节点的不断缩小，OPC的发展也经历了越来越困难的过程，需要更多的循环迭代运算和多次修正，且需要不断地检查和校对。本文对近年来晶圆制造的光学邻近效应技术的发展进行综述。

1 OPC 技术发展综述

1.1 基于规则的光学邻近修正

当技术节点发展到250nm时，OPC技术正式应用于晶圆制造工艺，最初开始应用的是基于规则的OPC方法，该方法具体是根据曝光系统的参数，利用大量的光刻实验数据来建立一套修正规则，根据此规则来对掩模图形进行优化校正。……