陈焕庭， 陈福昌， 何 洋， 林 硕， 熊传兵， 周锦荣, 陈赐海

(闽南师范大学 物理与信息工程学院， 福建 漳州 363000)

1 引 言

多芯片LED器件是将多个LED芯片集成在散热基板上，并实现整体封装的一种技术。与单芯片LED器件封装相比，多芯片LED器件可提高单位体积内光源的集成度，有利于LED光源体积降低[1-2]。随着多芯片LED器件集成度的提高和体积的缩小，尤其是对于集成大功率芯片的LED器件，其内部具有多个热源，热源之间的热耦合效应明显，单位体积内的功耗较大，随着LED器件结温升高，将影响到LED光源的光学特性以及电学特性，可靠性降低[3-4]。因此，分析多芯片LED器件内部热学模型，准确计算其结温已经成为目前多芯片LED器件应用中不可忽略的一个重要环节[5-7]。

传统热设计方法需要通过对样品进行大量的实验分析比对，最终提出合理的散热结构方案，因此存在很大的局限性。目前普遍采用计算机仿真软件对LED的不同散热结构进行热模拟分析，通过对多种优化结构的计算分析，确定最合理的改进方案，并最终将热仿真结果与实际测试进行对比论证，从而验证设计方案的可行性。

多热阻模型的优点是热分析行业内普遍认可的，它可以简化封装模型，在热模拟过程中节省网格，大大降低仿真时间，精度高于单热阻以及双热阻模型，目前国外电子厂商和软件公司对多热阻模型的研究投入力度很大，国内尚处于起步阶段，基于欧洲基金项目而建立的DELPHI热阻网络模型，已被广泛应用于电子设备热设计中[8]，该模型是目前世界最流行的热阻提取方法。……