刻蚀设备市场空间巨大。据Factor Equilibrium数据，2016年全球刻蚀设备市场为78亿美元；2017年～2025年市场销售额复合增长率为6.8%。受益建厂潮，国内产线建设拉动20亿美元刻蚀设备需求。国产刻蚀设备占有率不到20%，国产化率极低。制程不断推进及设计结构日益复杂是推动刻蚀设备市场的核心逻辑。新的制造工艺，如多重图形、基于金属硬掩模的双大马士革工艺、浅沟道刻蚀、高深宽比和高选择比刻蚀等技术不断对刻蚀设备提出挑战。结构上，动态随机存取存储器和Logic/Foundry小型化、3D NAND堆叠层数不断增多、鳍式场效应晶体管成为主流等结构创新，使得刻蚀难度和刻蚀步骤不断增加，拉动刻蚀设备需求和发展。

干法刻蚀是市场主流，硅刻蚀难度最大，反应离子刻蚀是目前业界重点发展方向，原子层刻蚀是未来之星。硅刻蚀作为晶体管层刻蚀，刻蚀选择比达到150：1，14纳米下深宽比达到约30：1，难度最大。

海外公司称霸市场，“内部研发+外延并购”打造具有技术优势的平台型企业，解决方案逐步升级。泛林和应用材料在全球刻蚀领域市场份额位列第一名和第三名。国内刻蚀公司服务优势明显，技术紧跟步伐，有望实现弯道超车。国内公司具有地理优势，服务响应快速。北方华创主攻硅刻蚀和金属刻蚀，14纳米制程已进入验证阶段；8英寸高密度等离子硅刻蚀机已进入中芯国际產线；深硅刻蚀机成功挺进东南亚市场。中微半导体深耕介质刻蚀设备，7纳米制程已实现量产，并成功进入台积电产线；5纳米制程正在研发；电容型介质刻蚀设备已进入全球前三；硅通孔刻蚀设备方面，8英寸和12英寸设备国内市占率超过50%。

（国泰君安）