国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心 严逸飞

一、磁随机存取存储器MRAM概述

在高速发展的大数据信息化时代，数量庞大的信息、数据需要我们处理与保存，这使得人们对信息存储器件的要求向着高密度、大容量、高速度、低成本和微小型化的更高标准方向发展。随机存储技术，是大多数计算机的一种短期存储方式，用于CPU临时记忆东西。多数RAM都是利用电子产生的电荷流，即使使用半导体硅，也不能够实现铁磁体的“永久记忆”，因此，导致传统RAM 的数据在断电后消失，即记录信息具有挥发性。所以即使在睡眠状态下使用DRAM、SRAM 的仪器，仍然需要一定的电源，这将必然带来耗电与发热等问题。之后有研究者发现了闪存记忆器（FLASH），它是对过去只利用电流、却无法长期保存数据存储方式的改进。FLASH 不是利用磁性原理，但也具有很好的“非挥发性”。但它的主要短板是，需要较高的电压删除已有数据重复记忆，这大大缩短了它的使用寿命。与前两者相比，磁随机存储器（Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM）的不会挥发的优越性就体现出来。因为MRAM 的机理是基于磁性材料的磁矩取向的稳定性和可控性，它不需电源的支撑保持记忆，继承了硬盘“永久记忆”的优点。另外几乎没有使用次数限制的优点使其更加具有竞争力。

二、专利申请现状

在S系统中对磁随机存取存储器MRAM进行相关的统计分析，有助于我们更清晰地了解此领域在专利申请方面的详细情况。

1.国内外申请量

在CNABS数据库中，采……