俞 珊，徐志望，董纪清

（1.福州大学至诚学院，福州 350002；2.福建睿能科技股份有限公司，福州 350003；3.福州大学电气工程与自动化学院，福州350116）

近年来，LLC谐振变换器由于具有电路拓扑简洁、可实现功率开关器件的软开关、易于实现磁集成和宽电压范围输入、变换效率和功率密度高等优点，成为业界的研究热点，并逐渐被应用于高频高效电能变换场合。

随着高频化应用的逐步深入，传统应用场合中可以被忽略的寄生参数开始参与LLC变换器的工作过程，从而影响变换器的性能指标[1]。寄生参数参与LLC变换器的工作过程中，通常伴随着高频谐振现象，会造成电磁干扰增大、可靠性与电磁兼容性降低等不良影响，甚至会影响变换器的正常工作[2]。设计人员可以通过优化LLC变换器高频变压器绕组布局的方式，充分利用高频变压器漏感作为谐振电感，从而实现磁集成，但是往往忽略了绕组分布电容对变换器性能的影响[3-7]。同时，作为变换器关键元件的功率半导体器件，如MOSFET和二极管等，由于器件制造工艺的缘故，也不可避免地存在寄生结电容。在分析这些寄生电容对LLC变换器影响的基础上，可以通过合理控制寄生电容的方法，或者提出一些改进型电路设计方法或控制策略，避免寄生电容对电路正常运行的不良影响，从而设计出性能优良的LLC变换器[8-9]。

本文从高频变压器分布电容的产生机理出发，在给出功率开关器件结电容的确定方法和高频变压器分布电容的相关改进措施的基础上，分析了分布电容对LLC变换器软开关过程的影响，并通过优化死区时间来提升变换效率[10-15]。……