王平 汤欢 汪东海

摘 要 基于N型单晶硅片，实验研究了不同湿法刻蚀工艺流程对太阳电池生产中参数影响。利用SEM、反射率测试仪和Halm测试系统对湿法刻蚀后硅片表面的微观形貌、反射率的差异进行了测试和表征。结果表明，在湿法刻蚀工艺前进行HF药液腐蚀处理可以降低太阳电池的反向漏电流，提高产品的合格率。

【关键词】湿法刻蚀 单晶太阳能电池 微观形貌 反射率 反向漏电流

1 引言

近年來，湿刻中的钝化作用和清洗引起人们广泛的关注。湿法刻蚀具有温度低、效率高、成本低等优点，在湿刻过程中，硅片的磷硅玻璃和金属离子被有效去除，并能一次性完成钝化和清洗去除杂质，从而提高了硅片的使用效率。

本文基于N型硅基太阳电池大规模生产，实验对比了不同湿法刻蚀工艺对太阳能电池电学特性的影响。

2 实验

采用电阻率为2Ω·cm，大小为156㎜*156㎜，厚度为200μm的N型CZ单晶硅片，通过碱制绒形成金字塔绒面和P扩散形成n+背场后，分别采用工艺流程1和流程2（如图1所示）进行湿法刻蚀，然后进行B扩散制备PN结以及后续PECVD沉积氮化硅减反射膜、印刷、烧结和测试等工序制成太阳能电池。通过SEM（JSM-6390），反射率测试仪（D8），电池模拟测试仪（halm），分别对湿法刻蚀后硅片表面的形貌、反射率和太阳电池的电学参数进行表征和测试。

3 结果与讨论

不同的湿法刻蚀工艺流程对硅片的腐蚀深度、表面形貌、反射率等参数有着重要的影响。

3.1 不同湿法刻蚀工艺对硅片腐蚀深度的影响

对硅片湿法刻蚀工序前后的重量进行称重以计算出腐蚀深度，其腐蚀深度结果如表1所示。……