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任意层HDI板制作的关键技术

2018-03-22刘诚文军谢言清刘恒淼

电子技术与软件工程 2018年3期
关键词:盲孔电镀工艺

刘诚 文军 谢言清 刘恒淼

摘 要 随着高阶互连技术的发展,任意层HDI逐渐受到人们的关注。本文将分析HDI板制作的工艺流程,分析HDI板制作的关键技术,为提高HDI板制作的品质,解决HDI板制作和控制的难点,保证同类产品的质量提供参考。

【关键词】任意层 HDI板 工艺 盲孔 电镀

HDI板是智能手机、平板电脑等电子产品的重要组成,近年来,随着技术的不断发展,HDI板也逐渐发展为多阶和任意层,可以预见,任意层HDI是未来智能电子设备发展的必然趋势。与传统一阶、二阶HDI板相比,任意层HDI制作难度更大,不仅密度高,制作流程较长,同时孔层分布复杂,本文将针对任意层HDI板制作的关键技术进行研究。

1 HDI板制作工艺流程

目前,HDI板层与层之间互联主要以下几种设计,错孔互连、跨层互连、阶梯互连以及叠孔互连,其中,叠孔互连占空间最小。研究认为,适当的是减少通孔数,增加盲孔数,能够有效的提高布线密度。在叠孔互连中,主要采用电镀填孔法和树脂塞孔法,其中,电镀填孔法具有更加明显的优势,可靠性高,导通性能好。因此,叠孔互连是目前盲孔设计应用最广泛的设计方法。层间堆叠工艺制作流程为首先 制作一阶盲孔,再次层压,制作二阶盲孔,按照该方法制作多阶盲孔,采用电镀填孔法实现层之间的互联。从整体上看,HDI板制作工序复杂,流程较多,需要经过长时间的多次制作才能够完成,包括线路、压合、电镀、;镭射等步骤,对各层制作的准度和涨缩控制要求较高,同时,在材料、设备、环境、技术人员等方面也有较高的标准。

2 HDI板制作难点

2.1 盲孔制作

盲孔制作是HDI板制作中的关键技术,主要以激光成孔为主。激光成孔技术具体包括UV激光成孔、CO2激光成孔以及混合激光成孔几种。其中,最为常用的为CO2激光成孔,具有成本低、效率高等优势。在孔径控制方面,由于该成孔技术解析度较低,孔径通常大于0.1mm,而电镀填孔则要求孔径不能太大,否则会影响填孔效果,因此,必须将孔径控制在0.1mm。L5~L6芯板控制难度较大,在控制孔径和孔型时还应防止打穿底铜,芯板的制作是HDI板制作的关键,直接影响HDI板制作的成功与否。影响盲孔直径的因素主要有波长、镭射型态和直径、聚焦距离等,光束直径是控制孔径的关键。此外,在制作盲孔时,还应该注重质量控制,包括过烧蚀、悬伸量、侧蚀、真圆度、玻纤、孔底残胶等。标准孔型应呈倒梯形,且下孔径为上孔径的75%~85%,孔壁呈直线,孔径90μm-125μm,单边≤10μm,真圆度≥85%,侧蚀≤15μm,RCC板材≤10μm。

2.2 电镀填孔

电镀填孔中常用的硫酸盐型电镀液主要成分包括硫酸、硫酸铜、添加剂和氯离子等,对电镀液成分进行控制,能够达到良好的填孔效果。盲孔的纵横比一般为在3:4~1:1,为确保Cu2+能够有效沉积,降低孔内气泡和空洞风险,主要采用高铜低酸的体系。氯离子是一种常见的阳极活化剂,能够降低应力作用,保持镀层的光亮和平整,同时,与抑制剂相互作用,能够抑制PCB表面Cu2+沉积速度,实现与Cu2+配位,提高Cu2+还原速率,氯离子通常控制在50×10-6左右。添加剂主要是指运载剂、整平剂、光亮剂等,能够影响沉积过程,控制沉积层的形态和性质 ,保持表面光亮、均匀、平整。

2.3 准度和涨缩控制

在任意层HDI板制作中,应用LDI技术,能够提高对位准度,减少对接偏差。 除采用LDI技术,还可以设计对位靶标以及选择对位方式,对准度进行控制。其中靶标设计是准度控制的关键,在实际工作中,常常被忽略,L5~L6芯板选择单一机械孔,应注意叠板厚度、钻孔参数、钻咀质量等;其他层应选择复合靶标对位,且通常在外围设计12~20个对位靶点。在涨缩控制方面,应谨慎进行材料选择,以高稳定性、高Tg材料为主;注重工程设计细节,优化图形设计,选择小拼版设计,根据试验数据,设定预防系数;优化流程设计,严格控制压板参数,使用化学法减铜;严格控制制作和存放环境的温湿度。在实际工作中,会增加涨缩控制的难度,需要按照板子大小,进行分类处理,减少控制难度。

3 结束语

HDI板制作工艺流程较多,工艺复杂,在制作时,首先应选择工艺流程,明确制作的关键技术,控制孔径和孔型;合理配比电镀液成分;注意填充率和凹陷度,确保填孔效果;加强准度和涨缩控制,采用LDI技术,设计对位靶标,选择对位方式,谨慎选择材料,优化工程设计和流程设计等。

参考文献

[1]陈世金,徐缓,杨诗伟,韩志伟,邓宏喜.任意层高密度互连电路板制作关键技术研究[J].电子工艺技术,2013,34(05):279-283.

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[5]Supercon-formal Electrodeposition of Copper in 500-90nm Features. Moffat T P,Bonevich J E,Huber W H,et al.Journal of the Electrochemical Society,2000.

作者單位

1.湖北碧辰科技股份有限公司 湖北省仙桃市 433000

2.深圳市万润科技股份有限公司 广东省深圳市 518000

3.博罗县永晟达电子有限公司 广东省惠州市 516000

4.深圳汉之云电子科技有限公司 广东省深圳市 518000

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