张小忠

（重庆京东方光电科技有限公司，重庆 400700）

现阶段，PECVD的应用逐渐广泛，对PECVD制程良率进行改善显得十分必要。在本文研究的主要领域为液晶显示器的研发，尤其对于PECVD的改良方式进行了细致的研究与优化。在改善过程中，从特征方面了解到，厚度H1与H相比较小，改善中使用的毛刷为滚轴毛刷，并且毛刷的数量要有多个。

1 改善PECVD制程良率的必要性

在TFT-LCD制程过程中，良率损失主要受到膜下异物的不良影响，导致制程良率长期受到损害。由于PECVD的生产技术十分严格，在生产时不能产生任何颗粒物质，因此往往会采用清洗玻璃基板沉膜、保养机台、在沉膜后实施RPSC clean的方式，防止颗粒物质的产生与积累，进而最大限度的保障膜层不会受到外界损害。在PECVD中，Active膜沉膜在Gate膜的上方，Active膜属于半导体膜，能够划分为5个层次，由上至下分别为：NP层、AH层、AL层、GL层、GH层，对于任意层次来说都具有各自的独特作用。其中，GH层处于最下方，主要成分为SiNx，能够与Gate膜产生直接接触，并且对Gate膜进行绝缘保护，但是当沉膜完毕后，很容易使杂物混入到Gate膜与GH层当中，由于Gate膜属于金属膜，更容易增加异物的混入概率，从而对PECVD薄膜混入的品质产生更大的影响。由此可见，采用相应措施对PECVD制程良率进行改善显得十分必要。

2 PECVD制程良率改善步骤

从上文中的分析可知，如若不对PECVD制程良率进行有效的改善，则很容易由于异物的混入对PECVD薄膜品质产生负面影响，因此本文将对PECVD制程良率的改善方式进行研究，主要的改善步骤如下。……