摘 要

随着我国社会经济的快速发展，电子技术发展迅猛，逐渐被各个领域所使用。但是电子元器件在使用过程中经常会发生破坏情况，从而对相关设备的正常运行产生严重影响。基于此，本文就对电子元器件的破坏性物理分析进行详细的阐述，以期为电子元器件检修工作提供参考依据。

【关键词】电子元器件 破坏性 物理分析

随着我国社会经济的快速发展，电子技术发展迅猛，逐渐成为现代社会的支撑产业。但是电子元器件在设备运行阶段经常会出现破坏，所以相关人员需要定期对电子元器件进行检查，从而保证电子元器件的正常使用。基于此本文就对电子元器件的破坏性物理分析进行讲解。

1 电子元器件破坏性物理分析

电子元器件的破坏性物理分析是指对电子元器件进行解剖，对电子元器件内部结构元素进行详细分析，从而保证电子元器件的设计合格、结构组合一致、材料运用符合标准，进一步保证电子元器件的使用质量符合要求。电子元器件的破坏性物理分析就是PDA，英文为Destructive Physical Analysis，主要是指对电子一般情况下，PDA的目的包含以下两个方面内容：一方面，对电子元器件的内部结构进行、使用材料、工艺设计等方面内容进行检查，保证这些部分组成合理，符合质量标准，从而可以为为电子元器件破坏性物理分析奠定坚实基础。另一方面，PDA可以为部分电子元器件的改进提供参考依据，并可以对电子元器件的生产状况和生产质量效率进行针对性评价。

2 我国电子元器件破坏性物理分析的应用效果

2.1 相关半导体器件质量合格率高

随着我国社会经济的快速发展，我国半导体器件的使用逐渐提升，但是半导体器件在使用过程中还存在着严重的质量实效性问题，因此，相关人员需要对半导体器件的破坏情况进行全面分析，并针对半导体器件中存在的问题制定针对性解决措施，保证半导体器件产品生产质量合格，从而提高我国相关半导体器件质量合格率。

2.2 加快电子元器件质量问题的原因发现速度

随着经济全球化的到来，我国逐渐成为经济大国，半导体器件的使用数量也逐渐呈现出上升的趋势，通过对相关数据的分析可知，我国电子元器件破坏性物理分析中的不合格项目的发现机率上升，内部检测不合格率、芯片剪切不合格率等情况直线上升，所以，电子元器件的破坏性物理分析可以加快电子元器件质量问题的原因发现速度。

2.3 为相关器件改进措施提供参考依据

一般情况下，相关人员在进行相关器件的破坏性物理分析后，经常会经分析数据提供给器件的生产厂家，然后器件生产厂家在对相关器件的破坏性物理分析数据进行整理，并对数据显示中的不合格元器件进行分析，改进生产加工方法，从而保证相关器件的质量合格。与此同时，相关厂家也会对电子元器件破坏性物理因素进行分析，并在内部建立相关分析部门，在相关器件生产出厂之前，对器件进行破坏性物理分析检查，让电子元器件生产厂家都对自家生产情况进行了解，从而保证各个电子元器件生产厂家质量合格。

3 电子元器件破坏性物理分析的具体要项

3.1 用户委托形势下的工作开展要点

现阶段，我国电子元器件破坏性物理分析已经涉及到各个领域，对各个领域的发展都起到至关重要的作用，面对此种情况，相关人员需要对电子元器件的可靠性进行分析，并使用用户委托形式下的工作开展要点。一般情况下，用户委托形势下的工作开展要点需要从以下两个方面进行：一方面，相关人员需要严格按照国家下发的标准进行电子元器件破坏性物理分析，并在双方合同中对裁定标准进行说明，严格按照裁定标准进行价格制定。另一方面，在进行电子元器件的样品制作过程中，相关人员需要采用科学合理的解剖技术对电子元器件进行解剖，分析电子元器件的外形结构、内部结构、集合电路等方面内容是否合理，然后再进行其他项目的检测工作。

3.2 电子元器件破坏性物理分析工作的展开时机分析

現阶段，随着我国社会经济的快速发展，对电子元器件破坏性物理分析工作的重视程度逐渐增加，面对此种情况，相关人员需要对电子元器件破坏性物理分析工作制定严格的规范标准，保证电子元器件可以满足设备的使用需求。相关单位可以在施工前期开展相关产品的破坏性物理分析工作，对产品情况进行合理分析，并提高分析人员的电子元器件破坏性物理分析质量。

3.3 抽样取样的科学性分析

在电子元器件的破坏性物理分析中最常见的工作就是抽样取样的科学性分析，具体可以从以下个方面进行：一方面，在电子元器件检测中需要保证样品数量不超过十个，且保证样品数量占到生产总批数的百分之一。另一方面，相关人员需要对未经过筛选的样品进行分析，并严格按照检测标准进行执行，进一步动我国电子技术的快速发展。

4 总结语

总而言之，随着我国社会经济的快发展，电子元器件的应用范围逐渐扩大，因此，相关人员要想保证电子元器件的正常使用就需要对电子元器件的破坏性物理分析进行全面分析，并根据电子元器件的具体使用环境制定针对性维护措施，保证电子元器件的正常使用，从而推动我国电子技术的快速发展。

参考文献

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[2]梁倩.电子元器件破坏性物理分析密封试验的探讨与实践[C].四川省电子学会曙光分会第十七届学术年会暨中物院第十届电子技术青年学术交流会论文集，2014：482-488.

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作者简介

何晓斌（1973-），男，湖北省咸宁市人。大学本科学历，毕业于湖北师范大学，讲师。研究方向为物理教育。

作者单位

咸宁职业教育（集团）学校 湖北省咸宁市 437100endprint