□TEXT 沈才卿 （中宝协人工宝石专业委员会常务副主任委员兼秘书长）

（接上期）

6 人工合成碳硅石的进展

6.1 合成碳硅石晶体的历史

6.1.1 碳硅石晶体

自然界的碳硅石晶体很难找到，1904年诺贝尔奖获得者亨利·莫桑（Henri Moissan）在坎亚黛布鲁陨石中发现了天然碳硅石（SiC）。为表示对莫桑的敬意，1905年旷兹（Kunz）将此天然矿物命名为“莫桑石（moissanite）”。

6.1.2 碳硅石晶体的人工合成研究

1955年，莱利采用升华法生长出了碳硅石晶体，奠定了合成碳硅石晶体发展的基础。该合成碳硅石晶体质量很好，但尺寸较小，形状不规则。1980年初，原苏联的戴依洛夫（Tairof）等人对莱利法进行了改进，采用籽晶升华技术（又称物理气相输送技术）生长出了碳硅石大晶体，且有效地避免了自发成核的产生，宣告有控制地生长合成碳硅石晶体技术获得了成功，并且可以达到近似于无色，应用于宝石领域。1987年，戴维斯（Davis）等人对莱利法进一步进行了改进，并于1990年申请了专利。1994年他们生长出的6H型SiC单晶直径达50mm，切磨成标准园钻形高28mm，重约380克拉，这一突破性进展掀起了碳硅石及其相关产品的研究热潮。

6.2 近年来我国合成碳硅石晶体的进展

6.2.1 我国山东大学晶体材料国家重点实验室对合成碳硅石技术的研究取得了重大进展

图20 山东大学升华法生长碳硅石单晶示意图（引自付芬报告）

图21 山东大学生长的碳硅石单晶产品（直径 2英 寸、3英寸和4英寸，引自付芬报告）

我国山东大学晶体材料国家重点实验室对合成碳硅石技术的研究取得了……