申晓天++舒童

[摘 要]静电驱动MEMS开关牢靠工作需求较高的驱动电压，大多数射频前端体系很难直接供给，因而需求一种完成电压变换和操控的专用芯片，以满意 MEMS 开关的实用化需求。根据200V SOI CMOS技术规划的高升压倍数MEMS开关驱动电路，选用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵构造，联系特有的Trench技术使电路的性能大大进步。仿真效果显现驱动电路在5V电源电压、0.2pF电容和1GΩ电阻并联负载下，输出电压到达。

[关键词]MEMS；开关驱动；电路；规划

中图分类号：TN492 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2017）41-0108-01

导语

近幾年来，微机电体系（MEMS）研讨得到了迅猛的开展。作为MEMS的重要分支之一，RF MEMS研讨也取得了显着效果。RF MEMS开关的驱动一般包含热驱动、压电驱动、静电驱动等方式，静电驱动因具有功耗低、呼应速度快、易集成的特色，在实际使用中最具潜力。但静电驱动开关的驱动电压较高，现在文献记载开关牢靠工作的电压一般需求30V～90V]。这对向低功耗低工作电压方向开展的电路体系是个挑战，体系一般无法直接供给如此高的驱动电压，规划一种CMOS高压驱动电路无疑是处理该疑问的要害之一。现在根据电荷泵完成的CMOS驱动电路具有低功耗易集成的特色，但一般电荷泵完成的升压倍数只需几倍。关于请求低输入电压、高输出电压的MEMS开关驱动电路，升压倍数一般要到达十几倍，完成如此高升压倍数的电路鲜有文献报道。相对而言，低升压倍数的电荷泵对比简略完成，跟着升压倍数的进步，电荷泵的级数添加，电路寄生效应影响加重，持续添加电荷泵的级数终究无法完成升压倍数进步，反而会使其下降。……