牛 通，王从香

(南京电子技术研究所， 江苏 南京 210039)

基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺*

牛 通，王从香

(南京电子技术研究所， 江苏 南京 210039)

本征光敏型聚酰亚胺(PSPI)具有优良的热稳定性、感光性、力学性能和介电性能，其在MCM组件中的应用，将进一步降低组件的重量、提高封装密度。在国外，PSPI在MCM中的应用已较为成熟，而国内在这方面与国外有较大的差距。为此，文章从应用的角度出发，研究了PSPI的光刻特性，优化工艺参数后，厚度10 μm 的PSPI可刻出Φ30 μm的微孔；PSPI表面沉积金属的附着力是难点和关键，文中重点对PSPI表面金属化工艺进行了研究，通过对PSPI进行等离子处理工艺的优化，在其表面TiW-Cu-Au膜层的附着力满足要求，附着力达25 MPa；在此基础上，制作出了“3 层介质 + 3 层电路”的多层薄膜微波测试电路。结果表明，测试电路层间导通良好，在1～ 40 GHz范围内插入损耗小于0.85 dB，回波损耗小于-13 dB。

本征光敏型聚酰亚胺；附着力；等离子处理；TiW-Cu-Au膜层；多层薄膜电路

引 言

聚酰亚胺具有优良的耐高温性能，其分解温度一般在500 ℃，可耐极低温度，在-269 ℃的液氦环境下仍不会脆裂，可用于极端的恶劣环境中[1]。聚酰亚胺可作为介质用于薄膜多层电路中，其膨胀系数为20×10-6～ 30 × 10-6K-1，低于普通的树脂，其介电常数为2.5左右，介电损耗在10-3量级，介电强度为100 ～ 300 kV/mm，其优良的介电性能在宽广的温度范围和频率范围内仍能保持在较高的水平[2]。

光敏性聚酰亚胺相对于非光敏的聚酰亚胺，在应用于薄膜多层时，可大大简化介质层制作流程。……