刘辉+史美霞+崔岭芝+吕明明+孙烨

摘 要：本文通过在ELV-EBG结构贴片表面加入双“T”型槽，提出一种新型的小型化电磁带隙结构，该双“T”型槽的引入抑制电流通过，增大贴片表面上的电流路径长度，降低谐振频率。将新型EBG结构与EAD电小天线相结合，相比传统EAD天线，更好实现了小型化。

关键词：电磁带隙结构；EAD电小天线；小型化

DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.17.142

0 引言

近年来，电小天线由于具有相对较小的电尺寸而受到各国学者们的广泛关注和深入研究。为了提高电小天线的方向性以及实现小型化设计，其中较为有效的一种方法是在谐振天线的下方加载EBG结构。EBG结构作为一种特殊的人工电磁材料，广泛应用于天线和微波领域。在调查研究中，切向电的近场共振寄生偶极子天线称之为EAD天线[1]。文献[2]中利用EAD天线设计了电小平面性Huygens源。

本次设计选用电小EAD天线作为主要辐射体，并与贴片表面加入双“T”型槽的ELV-EBG结构相结合，该天线工作于1.647GHz，与传统EAD天线进行比较，该天线的中心频率减小0.19GHz，更好实现小型化。

1 表面开槽双“T”型电磁带隙结构分析

ELV-EBG结构的一个特点是通過将过孔位置由中心处移至贴片边缘处，可以降低该EBG结构的谐振频率，但是该方法对于减小谐振频率不明显，所以在ELV-EBG结构贴片表面引入双“T”型槽。该双“T”型槽的引入，使得表面完整的EBG贴片被“T”型槽切割成有缝隙的结构，使之电荷沿着“T”型槽的边沿流向金属过孔的位置，延长了贴片表面上的电流路径长度。引入双“T”型槽电磁带隙单元结构如图1-1所示，它是由双“T”型贴片单元、金属针、介质层组成。……