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氧化亚铜薄膜(Cu2O)的光学特性研究

2017-09-08李能能

电子技术与软件工程 2017年14期
关键词:氧化亚铜峰位光致发光

文/李能能

氧化亚铜薄膜(Cu2O)的光学特性研究

文/李能能

将三块相同的纯铜片浸润在不同浓度的CuSO4溶液中,经过一定时间(12小时),每个铜片的表面生成一层Cu2O薄膜。通过样品的反射光谱和光致发光(PL)图谱研究了Cu2O薄膜的光学特性,并分析CuSO4溶液浓度对其光学特性的影响。实验中,由反射光谱测得Cu2O薄膜的光学带隙为2.2eV。PL研究表明,薄膜在510nm和540nm处有光致发光峰,且不同浓度影响的只是光强度,峰位没有变化。

Cu2O薄膜 CuSO4溶液 铜片

1 引言

氧化亚铜(Cu2O)是一种的P型半导体材料。由于制作原料易得,制作成本低廉,因此,P型Cu2O薄膜常被用于太阳能电池材料。目前,对于N型氧化亚铜(Cu2O)薄膜的研究很少。Fernando CAN等人首次研究发现,将铜片在CuSO4溶液中浸泡若干天,在其表面生成了Cu2O薄膜,并且检测到了N型光谱。该实验研究证明,铜片在电解质溶液中发生化学反应,在其表面有光电流信号。本文研究了将相同的铜片放于不同浓度的CuSO4溶液中,在相同的实验环境下,同时浸泡相同时间(12h),每个铜片表面生成了Cu2O薄膜,通过Cu2O薄膜的反射光谱和光致发光(PL)图谱研究了Cu2O薄膜的光学特性,并研究了溶液浓度对Cu2O薄膜光学特性的影响。

2 实验

实验前,将大小均为2cm×2cm的三块纯铜片用酒精擦洗干净。浸泡在浓度分别为10-3mol/L、10-2mol/L、10-1mol/L的CuSO4溶液中,浸泡12h,实验发现每个铜片的表面都出现了Cu2O薄膜。用紫外-近红外光线照射Cu2O薄膜,得到对应的反射光谱,分析反射光谱,得到Cu2O薄膜光学带隙;用激光(波长为325 nm)照射Cu2O薄膜,得到光致发光(PL)光谱,通过PL光谱研究了溶液浓度对Cu2O薄膜光学特性的影响。

3 结果分析与讨论

图1为铜片在浓度为10-1mol/L CuSO4溶液完全浸润12h所制备Cu2O薄膜的紫外-近红外反射光谱。从图中可以看出薄膜的反射很弱,主要是由于生成的薄膜较厚,较致密。对于直接带隙半导体Cu2O其吸收系数和与反射率以及光学带隙满足如下公式:

图1:铜片在浓度为10-1mol/L CuSO4溶液完全浸润12h生成Cu2O薄膜的紫外-近红外反射光谱

图2:铜片在10-1mol/L CuSO4溶液中完全浸润12h的(αhv)2-hv的变化曲线

上式中,hv为光子能量,Eg为光学带隙,A为常数,α为吸收系数,t为薄膜的厚度,R为反射率。作出(αhv)2-hv的关系图,如图2,吸收边切线在横坐标上的截距即为光学带隙。可以得出样品的光学带隙为2.2 eV,与相关文献报道的Cu2O(2.1~2.6 eV)[5,6]一致。

图3为铜片在浓度分别为10-3mol/L、10-2mol/L、10-1mol/L CuSO4溶液中完全浸润12h所制备Cu2O薄膜的光致发光图谱,激发光波长为325nm。从图片中可以看出,对应于不同浓度在510nm(2.4 eV)和540nm(2.29 eV)附近都出现了一个较宽的峰位,这对应于Cu2O的带隙。结果表明,此处的发光现象由Cu2O的带隙所致。实验表明,不同浓度下,峰位的强度改变,但是峰位没有变化,所以带隙保持不变。

3 结论

本文通过简单的化学方法制备Cu2O薄膜,该样品可以用于太阳能电池材料。室温下,将铜片完全浸润在CuSO4溶液中,在其表面得到了Cu2O薄膜。通过Cu2O薄膜的反射光谱和光致发光(PL)图谱研究了不同浓度下Cu2O薄膜的光学特性。实验发现,样品的电导类型为N型,光学带隙为2.2 eV。CuSO4溶液浓度不同,峰位的强度不同,但光学带隙保持不变。该研究表明,N型氧化亚铜在制作叠层太阳能电池方面具有潜在的应用价值。

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作者单位 西安航空学院 陕西省西安市 710070

李能能(1983-),女,甘肃省平凉市人。硕士研究生。主要研究方向为光电检测。

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