戎 泽，袁永锋，郭绍义，林金鑫，张志强

(浙江理工大学机械与自动控制学院，杭州 310018)



C包覆CoMoO4复合纳米片阵列材料的制备和赝电容性能的研究

戎 泽，袁永锋，郭绍义，林金鑫，张志强

(浙江理工大学机械与自动控制学院，杭州 310018)

采用两步水热法，结合高温煅烧工艺，制备了直接生长在泡沫Ni基底上的C包覆CoMoO4复合纳米片阵列材料。利用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和场发射扫描电子显微镜(SEM)分析C包覆CoMoO4的结构特征，结果表明C成功包覆在多孔交联CoMoO4纳米片的表面。通过循环伏安法和恒流充放电法分析C包覆CoMoO4的电化学性能，发现C包覆显著提高CoMoO4的比电容和循环性能。在1 A/g的电流密度下循环2000次，最高比电容达1864.79 F/g，比电容保持率86.65%。比电容和循环性能的改善是由于碳包覆提高了CoMoO4电导率和结构稳定性，促进了赝电容反应。

超级电容器；CoMoO4；碳包覆；复合纳米片阵列

0 引 言

制备有序的、高比表面积的纳米结构电极材料有利于改善材料的电化学性能[14]。本文使用两步水热法以及高温煅烧工艺,制备了具有3D交联网状结构的C包覆CoMoO4复合纳米片阵列，直接生长在泡沫镍基底上，并通过相关电化学试验测试其性能。

1 实验部分

1.1 CoMoO4纳米片阵列的制备

采用水热法制备CoMoO4纳米片阵列，将0.87 g Co(NO3)2·6H2O完全溶解于60 mL去离子水，再将0.72 g Na2MoO4·7H2O加入溶液中，溶解完全，将溶液转移入100 mL特氟龙内衬的反应釜中，把清洗干净的泡沫Ni(2cm×2 cm)置于反应釜中并将反应釜密封移入恒温箱，于120 ℃下反应5 h，随后冷却至室温，将泡沫Ni取出并用乙醇和去离子水交替清洗数次，60 ℃下干燥12 h。……