刘储 关宝璐 米国鑫 廖翌如 刘振扬 李建军 徐晨

(北京工业大学,信息学部电子科学与技术学院,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124)

低阈值单横模852 nm半导体激光器∗

刘储 关宝璐†米国鑫 廖翌如 刘振扬 李建军 徐晨

(北京工业大学,信息学部电子科学与技术学院,光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124)

(2016年9月7日收到;2017年1月30日收到修改稿)

基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低阈值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150MA,工作温度30◦C;斜率效率最高可达0.89 mW/MA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.

脊型波导边发射激光器,侧向模式,模式稳定性

1 引言

随着信息化时代科学技术的高速发展,具有低阈值、高微分量子效率、低热阻和单横模的高性能半导体激光器已经成为面向光纤传送数字通信、光交换的密集波分复用(DWDM)系统、集成光子计算以及生物医疗等领域的核心器件,同时,在原子钟、磁力仪及陀螺仪等原子传感、探测的高新技术领域,具有模式稳定、高光束质量和窄线宽的高性能852 nm半导体激光器[1,2]抽……