作者/黄玮、 杨月霞、 林慧敏，江苏信息职业技术学院

项目：江苏高校品牌专业建设工程资助项目，项目编号ppzyB190。

基于Silvaco Atlas的SOI 器件性能仿真研究

作者/黄玮、 杨月霞、 林慧敏，江苏信息职业技术学院

项目：江苏高校品牌专业建设工程资助项目，项目编号ppzyB190。

本文主要针对SOI器件结构展开研究，对于SOI MOS器件的结果和特性进行分析，讨论，并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进行仿真，与研究分析结果进行比对，可以看出SOI器件能够有效改善MOS器件的阈值和亚阈值特性。

Silvaco Atlas；SOI结构；SOI MOS器件

引言

集成电路发展迅速，特征尺寸不断减小，目前，大型半导体制造商三星，台积电等的主流工艺节点是14纳米，16纳米，但是目前三星已经预告开发7纳米制造工艺，并预计在未来几年问世。随着特征尺寸的不断减小，对集电电路的结构，制造工艺，原材料的要求也越来越高，传统的器件结构已经无法满足电路性能的要求了。FinFET，SOI结构等能有效改善特征尺寸不断缩小过程中所遇到的问题。

其中SOI结构可以有效抑制CMOS电路中常见的闩锁效应，具有抗辐照性能好，工作速度快，功耗低，成本低等优点。为Global Foundries，Samsung等制造商所采用。

采用器件仿真软件Silvaco TCAD，可以有效研究SOI MOS器件的特性。Silvcao TCAD软件可以进行一维，二维和三维工艺仿真，还可以进行二维和三维器件仿真。主要包括ATHENA工艺仿真工具和ATLAS器件仿真工具。本论文中主要使用ATLAS工具对器件结构及特性进行研究。

1. SOI结构

SOI（Silicon On Insulator ）技术, 全称为绝缘体上的硅。顶层硅跟衬底之间加入了一层埋氧层。……