ZnO/SnO2分级纳米结构的制备及气敏特性研究
2017-08-07杨杰杰贾建峰王新昌
杨杰杰, 贾建峰, 王新昌, 左 焱, 杨 辉
(郑州大学 物理工程学院 河南 郑州 450001)
ZnO/SnO2分级纳米结构的制备及气敏特性研究
杨杰杰, 贾建峰, 王新昌, 左 焱, 杨 辉
(郑州大学 物理工程学院 河南 郑州 450001)
结合静电纺丝和水热法制备了ZnO/SnO2分级纳米结构.扫描电镜结果显示,直径为20~30 nm且粗细均匀的ZnO纳米棒阵列均匀地生长在长2~10 μm的SnO2纳米线上.与纯ZnO纳米棒和纯SnO2纳米线相比,ZnO/SnO2分级纳米结构显现出更优越的气敏性能,在300 ℃下对体积分数为100×10-6的丙酮气体的灵敏度高达22.76,响应时间为13 s,恢复时间为10 s.
分级纳米结构; ZnO/SnO2; 丙酮; 气敏
0 引言
近年来,随着人们环保意识的增强,对有毒、有害和可燃性气体的检测越来越受到重视[1-2].由于金属氧化物半导体(MOS)气体传感器具有可测量的气体范围广、成本低、结构简单、响应-恢复快等诸多优点,成为气体传感器中的研究热点[3].而随着纳米科技的高速发展,各种成分与形貌的半导体纳米氧化物如SnO2、ZnO、TiO2、In2O3、WO3等成为半导体气敏传感器领域的研究热点[4-6].与一维纳米结构相比,三维异质结纳米结构拥有更大的比表面积、空隙率以及更多的活性位点,这更有利于吸附气体和传输电子,表现出更加优异的气敏性能,因而受到了研究者的广泛关注和研究[7-9].ZnO和SnO2作为两种宽禁带N型半导体基础材料,不仅成本低廉,而且光电性能、催化性能和气敏性能都很突出[10-11],在许多领域都受到了极大关注.例如在气敏性能方面,通过静电纺丝法制备的CuO/SnO2纳米线对H2S及CO气体有很高的灵敏度和选择性[12];……