袁桃利， 王秀峰， 牟 强， 张方辉， 李亭亭

(1. 陕西科技大学 电气与信息工程学院， 陕西 西安 710021；2. 陕西科技大学 材料科学与工程学院， 陕西 西安 710021)

基于Alq3掺杂Bphen电子传输层的有机发光二极管

袁桃利1， 王秀峰2*， 牟 强1， 张方辉1， 李亭亭1

(1. 陕西科技大学 电气与信息工程学院， 陕西 西安 710021；2. 陕西科技大学 材料科学与工程学院， 陕西 西安 710021)

制备了结构为ITO/MoO3(30 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP∶R-4B(8%)(30 nm)/电子传输层(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)的器件，其中R-4B为红色磷光染料，电子传输层分别采用Alq3、Bphen∶Alq3(x%)和Bphen，对3种不同电子传输层器件的发光性能进行了研究。结果表明：Bphen∶Alq3(x%)作为电子传输层的器件与Alq3或Bphen作为电子传输层的器件相比，亮度提高了约3.5倍，电流效率提高了1.1～2.5倍，效率滚降变得平缓。采用Bphen∶Alq3作为电子传输层，不仅减小了电子在LUMO能级传输时的跳跃传输距离，而且在一定程度上抑制了Bphen的结晶，使器件的电子传输能力和效率滚降性能得到改善。

掺杂； 电子传输层； 有机发光二极管

1 引 言

有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)的商业化时代已经来临，被广泛地应用于平板显示和照明领域[1-3]。为了推动市场的进一步成熟，OLED的研究热点主要集中在提高器件发光效率[4]、增加器件稳定性和延长器件寿命等方面[5]。在OLED器件中，电子传输材料的电子迁移率偏低、传输能力差、与传输能力较强的空穴材料不匹配是造成器件效率低下、稳定性差的主要原因之一。一般空穴传输材料的迁移率为10-3～10-4cm2/(V·s)，电子传输材料的迁移率为10-4～10-6cm2/(V·s)[6]，传输到发光层的电子和空穴数量极不平衡，一方面降低了激子的形成几率，减小了发光效率，并产生较大的空穴漏电流，使器件效率降低、稳定性变差；……