方勇，檀汤亮

（1.池州学院 机电工程学院，安徽 池州 247100；2.安徽池州伟舜机电有限公司，安徽 池州 247000）

Pt/ZnO/Pt结构紫外探测器件的构建与性能研究

方勇1，檀汤亮2

（1.池州学院 机电工程学院，安徽 池州 247100；2.安徽池州伟舜机电有限公司，安徽 池州 247000）

本文通过水热法制备ZnO纳米阵列，基于不同生长时间的ZnO阵列构建了Pt-ZnO-Pt型紫外探测器，对器件性能进行了研究.研究表明，器件对紫外线有明显的光响应，响应度为0.13～0.77A/W；响应时间为20～150s.生长24小时制备的ZnO纳米阵列组建的器件性能最优，ZnO纳米阵列缺陷峰低，结晶性能好，阵列缺陷少；生长16h的缺陷峰最高，结晶性较差.

ZnO；肖特基；PN结；紫外探测器

ZnO是一种II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料，其禁带宽度在室温下为3.37eV，激子复合能高达60meV[1,2]，具有六方纤锌矿结构.ZnO在紫外发光二极管[3]、激光二极管[4]和探测器[5]等方面具有重要的应用前景，成为紫外光电探测器领域研究的热点之一.本文利用水热法制备了ZnO纳米阵列，利用生长良好的ZnO纳米阵列组装出Pt-ZnO-Pt结构紫外探测器，对其性能进行测试.通过上述研究，为优化ZnO紫外探测器的设计、构建提供有效实用的数据，奠定实验基础.

1 实验

ZnO纳米阵列制备采用水热法，切割FTO玻璃片(1.5cm×1cm)，依次用去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇进行超声清洗，烘干后放在匀胶机上，在有FTO导电膜的一侧旋涂配制好的晶种液（Zn+浓度0.5mol/L），再放入电炉中350℃烧结30min.取出后放入反应釜中，添加生长液（Zn+浓度0.05mol/L），放入95℃烘箱进行反应.最后将生长好样品的玻璃片取出，用去离子水清洗……