基于低压差线性稳压电路的专利技术综述
2017-06-30叶盛张婕
科教导刊·电子版 2017年15期
叶盛 张婕



摘 要 低压差线性稳压电路(即 LDO,Low Dropout Regulator)以其电路简单,噪声低及功耗低等优点,在电源管理领域获得广泛应用。本文对基于低压差线性稳压电路领域发展的专利申请趋势、专利申请产出国和专利申请人分布进行了统计分析,并针对重点专利发展技术的低噪声、高电源抑制比技术,瞬态响应技术以及无片外电容技术的三大主要技术分支,对其技术手段的实现以及技术方向的发展脉络进行了统计分析。
关键词 低压差线性稳压 低噪声 电源抑制比 瞬态响应 无电容
中图分类号:TN43 文献标识码:A
0引言
自上世纪80年代低压差线性稳压器出现以来,低压差线性稳压器从最开始的双极型器件的改进开始,逐步向CMOS器件型发展。随着现代电子工业的迅猛发展,传统的 LDO 逐渐不能满足业界对芯片噪声、效率、瞬态特性等性能要求。因此,高性能 LDO 依然是电源管理电路研究的热点。
1基于低压差线性稳压技术的整体分析
基于前期资料收集,综合运用专利分析与产业研究的方法,从专利统计定量分析的角度出发,以专利申请数量为切入点,通过选取专利发展趋势、区域分布情况、重点申请人以及重点技术分支进行了深入分析与研究。
1.1全球专利申请量趋势
图1:全球专利申请总量随年份变化的趋势图
上图所示为1985年起低压差线性稳压技术全球专利申请总量随年份变化的趋势。由图可知,从1985年至1999年处于该项技术研发的萌芽期,从2000年开始到2008年,申请量开始迅速增加,总体呈现快速发展。……
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