王晓慧，李 晶，赵英凯，李建伟，米 航，李静波，段如月，李 玲，刘 爽

(1.河北大学物理科学与技术学院，河北省光电信息材料重点实验室，河北 保定 071002；2.河北大学质量技术监督学院，河北 保定 071002)



过渡金属离子(Mn、Cu、Fe)掺杂半导体纳米晶的研究进展

王晓慧1，李 晶1，赵英凯1，李建伟1，米 航1，李静波1，段如月1，李 玲1，刘 爽2

(1.河北大学物理科学与技术学院，河北省光电信息材料重点实验室，河北 保定 071002；2.河北大学质量技术监督学院，河北 保定 071002)

过渡金属掺杂量子点由于具有零自吸收、更宽的发射光谱范围、更好的光化学稳定性等优点，已经成为提高量子点光电性能的重要研究方向。本文首先简单介绍了其掺杂机制，发光原理，制备方法，然后着重介绍了Mn，Cu，Fe等过渡金属掺杂量子点的最新研究进展。通过对大量相关文献进行总结发现，量子点的量子效率以及发光特性主要受掺杂量子点的制备方法，掺杂浓度，壳层厚度等因素的影响，最后，分析了该领域中目前存在的问题，并提出了今后的研究方向。

过渡金属掺杂； 量子点； 量子产率； 发光特性

1 前 言

半导体纳米粒子也称为量子点[1]，其粒子半径小于或者接近激子的波尔半径。 由于它具有很多显著的物理化学性质，所以具备许多体材料所没有的性质，其中包括：量子介电限域效应、尺寸效应、表面效应等，具备这些优异的光学性质使得量子点在太阳能电池方面具有诱人的应用前景，在过去几十年里吸引了人们极大的研究热情[2]。……