基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计
2017-06-05谢媛媛贾玉伟方家兴赵子润
谢媛媛,贾玉伟,方家兴,曾 志,周 鑫,赵子润
(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051)
基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计
谢媛媛,贾玉伟,方家兴,曾 志,周 鑫,赵子润
(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051)
基于陶瓷方形扁平无引脚(QFN)封装研制出4款X波段GaAs 微波单片集成电路(MMIC),包括 GaAs幅相控制多功能芯片(MFC)、功率放大器、低噪声放大器、开关限幅多功能芯片。利用QFN技术将这套芯片封装在一起,组成2 GHz 带宽的QFN封装收/发(T/R)组件,输出功率大于1 W,封装尺寸为9 mm×9 mm×1 mm。通过提高GaAs MMIC的集成度、放大器单边加电、内部端口匹配,创新性地实现了微波T/R组件的小型化。这几款芯片中最复杂的X波段幅相控制多功能芯片集成了T/R开关、六位数字移相器、五位数字衰减器、增益放大器及串转并驱动器。在工作频段内,收发状态下,增益大于5 dB,1 dB压缩输出功率(P-1)大于7 dBm,移相均方根(RMS)误差小于2.5 °,衰减均方根误差小于0.3 dB,回波损耗小于-12 dB,裸片尺寸为4.5 mm×3.0 mm×0.07 mm。
陶瓷方形扁平无引脚封装;T/R;X波段;GaAs微波单片集成电路;多功能芯片
0 引 言
收/发(T/R)组件是雷达天线的关键部件。1部雷达系统的天线阵面包含成千上万个T/R组件,其造价约占系统造价的70%~80%。T/R组件的体积、性能、成本、可靠性等指标直接影响着雷达系统的相应指标[1]。T/R组件主要由移相器、衰减器、T/R开关、数字驱动器、低噪声放大器、功率放大器、限幅器、大功率开关等电路组成,随着GaAs微波单片集成电路(MMIC)的发展,上述电路已全部实现芯片化。通常,将这些GaAs MMIC组装在1个金属盒体内,构成的X波段T/R组件的尺寸较大。……
