张嘉莉, 朱从桦, 豆 攀, 马晓君, 王兴龙, 孔凡磊, 袁继超**



硅、磷配施对玉米苗期生长及氮磷钾积累的影响*

张嘉莉1,2, 朱从桦1,2, 豆 攀1, 马晓君1, 王兴龙1, 孔凡磊1,2, 袁继超1,2**

(1. 四川农业大学农学院 成都 611130; 2. 农业部西南作物生理生态与耕作重点实验室 成都 611130)

以‘正红2号’和‘正红115’玉米为材料, 采用砂培方式, 设置3个纯磷水平[1.0 mmol·L-1(正常磷水平, P1.0)、0.1 mmol·L-1(中度缺磷, P0.1)和0.01 mmol·L-1(重度缺磷, P0.01)]和3个纯硅水平[1.5 mmol·L-1(Si1.5)、0.75 mmol·L-1(Si0.75)和0 mmol·L-1(Si0)], 通过对玉米苗期干物质、叶面积、根系形态和氮磷钾含量的测定分析, 研究硅、磷配施对玉米苗期根系生长、各器官干物质及氮、磷和钾养分积累与利用的影响, 为磷、硅肥合理配施提供理论依据。结果表明: 缺磷抑制玉米苗期生长, 降低根长、根体积、根表面积和叶面积, 减少磷和氮、钾的吸收以及干物质积累量, 这种效应随磷浓度的降低而增强; 玉米通过提高根冠比, 增加磷、氮在根系中的分配率, 提高氮、磷、钾的干物质生产效率来适应低磷环境; 低磷胁迫对‘正红115’根系生长和磷吸收积累量的影响大于‘正红2号’, 但‘正红115’在低磷条件下大幅度提高磷在根系中的分配率。在正常磷(P1.0)条件下加硅可促进玉米根系生长, 增加磷和氮、钾积累量, 提高其在地上部分配率, 增加叶面积和干物质积累量; 在中度缺磷(P0.1)条件下加硅也可增加玉米的磷和氮、钾积累量, 促进根系和地上部生长, 缓解低磷胁迫; 在重度缺磷(P0.01)条件下, 增施硅对玉米根系生长和干物质积累无显著的改善作用, 但会增加根系中磷、钾素积累量。……