我国开发成功64Mb阻变存储器晶圆

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心联合西安紫光国芯半导体有限公司，以及清华大学、北京大学、西安交通大学等单位的研究人员，在阻变存储器（ReRAM）及其与标准CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的集成研究中取得了新进展。

研究人员在完成前端工艺的晶圆上，依托微电子所的8英寸CMOS先导工艺研发平台，完成了64Mb ReRAM和内嵌ReRAM IP的SoC的阻变存储后端集成工艺开发与验证，开发的基于HfOx材料的ReRAM单元具有良好的一致性、持久力等性能，阵列制备工艺简单，不仅可与CMOS工艺完全兼容，而且仅增加了2层掩膜版，可快速、低成本地与逻辑工艺集成。该集成方案结合了代工厂工艺稳定和实验室工艺灵活的优点，不仅为ReRAM制备工艺转向代工厂提供了前期技术储备，也为新型存储技术的开发提供了一个研究开发平台。

64Mb ReRAM芯片和内嵌ReRAM IP的SoC在实现基于ReRAM存储机理和单元特性的读写电路、芯片构架、可测试性设计、冗余设计、纠错设计和系统访问管理等方面实现了创新。两款芯片均已完成了应用演示等相关测试，其中，64Mb ReRAM芯片可实现数据文件、图形文件及多媒体文件的读写编辑及实时播放操作，功耗、速度和寿命等性能优异。 (中 科)