中科院阻变存储器高密度集成研究获进展

中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）高密度集成研究方面取得新进展，提出了一种与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺完全兼容、具有高均一性的高性能选通器件，为两端结构电阻型存储器的高密度三维集成提供了解决方案。

交叉阵列中的漏电流问题是存储器高密度集成的主要障碍之一，开发具有高均一性、高选择比、高电流密度等特性，可三维堆叠的选通器件是实现RRAM三维集成的关键。

针对这一问题，研究人员提出了利用梯形能带结构构建选通管器件的思路，开发出了一种具有高均一性、较高选择比和较大电流密度的选通器件，其漏电流＜10pA，非线性比＞50000，开态电流密度＞1MA/cm2，并具有超高耐久性（＞1010）。

(叶瑞优)