徐龙权，方 颂，唐子涵，刘新卫

(1.南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，江西南昌 330047；2.南昌大学信息工程学院，江西南昌 330031)

MOCVD反应室温度均匀性的研究

徐龙权1，2∗，方 颂2，唐子涵2，刘新卫2

(1.南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，江西南昌 330047；2.南昌大学信息工程学院，江西南昌 330031)

为研究一种有效提高MOCVD反应室温度均匀性的方法，针对自主研发的大型立式MOCVD反应室，建立二维模型，就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析。为提高温度均匀性，通过改变不同电参数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的变化，发现电参数与加热效率成正比，但是与加热的均匀性成反比关系；在相同功率下，电流频率上升将导致温度均匀性下降。以上关系中反映出的合理的电参数，在保证反应温度的同时，保证了温度均匀性，有利于薄膜生长。

MOCVD；感应加热；温度均匀性

1 引 言

金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)是目前生长薄层单晶材料常用的方法[1-7]。该方法中，反应室内部加热效果是生长优质GaN外延片的关键工艺条件。其中如何提高温度均匀性是本文讨论的核心问题。温度均匀性影响一炉成品的质量，当均匀性表现低下时，不同区域薄膜材料质量不一致。此外，温度均匀性表现低下也会影响电阻丝、石墨盘的使用寿命。

MOCVD中常用的加热方式有电阻加热及感应加热两种。传统的电阻加热方式存在热损失大、加热效率低、维修量及维修费用高等缺点，而感应加热方式具备低成本、安全性高、加热效率高、无污染等优势。……