刘 超 于莉媛 王志刚 钱 森 夏经铠,4 朱 纳 高 峰,4 安广朋 马毅超 党宏社 吴英蕾 杨 洁（天津工业大学 天津 300387）

2（核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049）

3（中国科学院高能物理研究所 北京 100049）

4（中国科学院大学 北京 100049）

5（陕西科技大学 西安 710021）

GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

刘 超1于莉媛1王志刚2,3钱 森2,3夏经铠2,3,4朱 纳5高 峰2,3,4安广朋2,3马毅超5党宏社5吴英蕾1杨 洁11（天津工业大学 天津 300387）

2（核探测与核电子学国家重点实验室 北京 100049）

3（中国科学院高能物理研究所 北京 100049）

4（中国科学院大学 北京 100049）

5（陕西科技大学 西安 710021）

使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode, LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验，并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后，在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明，高能辐照对LED的改性有明显效果，具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善，光谱峰值波长出现蓝移。同时，GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。

高能电子辐照，GaN，发光二极管，光电学性能

GaN作为一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.39eV，具有热导率高、耐高温、耐酸碱、高硬度等特性，是第三代半导体的代表。基于以上特性，作为发光二极管(Light Emitting Diode, LED)重要的发光材料的GaN，一直是国内外关于LED辐照实验研究的热点，并在GaN外延材料以及发光器件的电子束辐照效应研究中取得了一定成果。……