李 园，黄美东，张建鹏，杨明敏，高 倩

（天津师范大学 物理与材料科学学院，天津 300387）

磁控溅射功率对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响

李 园，黄美东，张建鹏，杨明敏，高 倩

（天津师范大学 物理与材料科学学院，天津 300387）

为了深入研究Ti掺杂ZnO薄膜的光电性能，采用射频磁控溅射技术在硅和玻璃基底上沉积Ti掺杂ZnO（TZO）薄膜.分别利用表面轮廓仪、X线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、UV-3600分光光度计和HMS-2000霍尔效应测试系统等表征手段分析溅射功率对TZO薄膜微观结构及光电性能的影响.结果表明：溅射功率对薄膜样品沉积速率的影响呈现先升后降的趋势，对电阻率的影响正好相反.当溅射功率为100W时，薄膜的沉积速率最大，为7.96nm/min，此时电阻率为最小的1.02×10-3Ω·cm；所有TZO薄膜在可见光波段的平均透过率均高于80%，为透明导电薄膜.Ti掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构，具有良好的c轴择优取向，溅射功率为100W时其微观结构均匀、平整、致密，表面形貌最好.

射频磁控溅射；溅射功率；Ti掺杂TZO薄膜（TZO）；光电性能

由于具有在可见光波段透过率高、电阻率低等特点，透明导电薄膜（TCO）在平板显示、太阳能电池等相关领域具有广阔的发展空间.现有的TCO薄膜依其组分不同可分为金属薄膜、透明导电氧化物薄膜和化合物薄膜，其中以透明导电氧化物占主导.ZnO薄膜就是一种重要的透明导电氧化物薄膜[1].研究人员发现以ZnO为代表的半导体材料在高温条件下依然可以表现出优良的性能，并且以此材料为基础成功研制了……