李　霖　周庆奎

(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京100176)

接触接近式光刻机微力找平技术

李霖周庆奎

(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京100176)

介绍了一种微力找平技术，该技术应用气缸及间隙找平机构，可满足厚胶光刻工艺要求。

光刻机；微力找平；厚胶光刻

接触接近式光刻设备是半导体生产及实验制造中的关键设备之一。近年来随着厚胶工艺的应用日益广泛及对掩模版防损要求的提高，对光刻机的找平技术也提出了新的要求，即要求基片与掩模版找平时找平力尽量小且方便调整找平力的大小，并在找平过程中减少对掩模版的损伤，延长掩模版的使用寿命。本文介绍了一种微力找平技术可满足厚胶工艺及延长掩模版使用寿命，在接触接近式光刻机领域有着良好的市场应用前景。

1　微力找平技术

1.1找平原理

基片与掩模版在对准时必须保持一个平行的距离，而基片自身的不平行度与经过几次刻蚀后的翘曲度对这个平行间隙的设定带来一定误差，因此在对准与曝光之前必须进行找平，以使其与掩模版之间形成一个平行间隙，即完成基片与掩模版的找平。

找平机构是实现基片与掩模版找平的关键部件，它提供基片与掩模版找平时所需要的找平力。传统的找平机构如图1所示，一般采用弹性元件提供找平力，例如弹簧、气囊等，通过弹性元件的弹性变形产生找平力。这些元件提供的找平力范围变化较大，且每次调整找平力时需要重新设定弹性元件弹性变形的位移量，导致找平力过大及调节不方便，对厚胶工艺胶层及掩模版都有一定的损伤。……