俄罗斯研制出基于石墨烯材料的闪存原型

俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所的研究人员利用多层石墨烯材料制造出了一种新型闪存的原型，其无论在信息存储速度方面，还是在保存时间方面，均超过现有其它材料制成的闪存。

据悉，石墨烯闪存的作用原理是在存储介质（多层石墨烯材料）里注入和保存电荷，其隧道层由氧化硅制得，阻挡层由高介电常数电介质制得。闪存的效率取决于存储介质功函数的大小，由于多层石墨烯对电子具有很大的功函数（约5eV），因此，在石墨烯层和氧化硅边界的势垒增加至约4eV。被夹在隧道和阻挡氧化物之间的石墨烯层相当于一个深势阱，电荷进入后就长期贮存在那里，因而，可对闪存进行几何学优化，例如，使用更薄的隧道层，存储速度可提高2～3倍，而更大的功函数可使电荷贮存的时间更长久。

目前，研究人员研制的石墨烯闪存原型仍处于基础研究阶段，其工业化生产尚需时日。

(科技部)