掩埋栅太阳电池专利技术综述
2016-12-01汪灵李博薛源
中国科技纵横 2016年14期
汪灵 李博 薛源
(国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450000)
掩埋栅太阳电池专利技术综述
汪灵 李博 薛源
(国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450000)
随着传统的丝网印刷技术得到了不断发展和提高,一种产业化高效电池——埋栅电池也取得了很大的发展和改进掩埋栅太阳电池作为目前普遍使用的太阳能电池类型,其在转化效率、工业生产中均起着举足轻重的作用。本文在以掩埋栅电池为主要研究对象的前提下,主要分析了掩埋栅太阳电池的发展现状和研究方向,以及太阳能领域中重要企业的关于此类太阳电池的专利战略布局。
掩埋栅 太阳能电池 专利申请
1 掩埋栅电池的基本结构
随着传统的丝网印刷技术得到了不断发展和提高,一种产业化高效电池——埋栅电池也取得了很大的发展和改进。更为具体的说,电池的前面触点一般被沉积作为开口栅图案以允许光被暴露的硅衬底吸收,而将前面的栅沉积在被埋入的凹槽中以减小栅遮蔽损耗(grid-shading loss),该类型的太阳能电池通常称为掩埋接触式(Buried Contact)太阳能电池(也被称为激光开槽掩埋栅-LGBG太阳能电池),简称为埋栅电池。而埋栅电池效率高的原因则包括:由于金属栅线导电性更好,与槽内重扩散区的接触电阻更小,所以填充因子更高。同时,由于表面遮光面积相对较少,对于面积较大的电池,其电流相对较高。此外,在工艺处理过程中其工艺本身还能产生相当大的吸杂作用。……
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